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NTLUF4189NZ
TYPICAL MOSFET CHARACTERISTICS
150
125
100
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
V DS
Q T
20
15
3
V GS
75
Q GS
Q GD
10
2
50
25
0
C rss
0
C oss
5
10
15
20
25
30
1
0
0
0.25
0.5
0.75
1
V GS = 15 V
I D = 1.5 A
T J = 25 ° C
1.25
5
0
1.5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
1
V GS = 4.5 V
V DD = 15 V
I D = 1.0 A
t f
t d(off)
t d(on)
t r
10
1.0
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.1
1
10
100
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4
1.4
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
175
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I D = 250 m A
150
125
100
75
50
25
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
0
150 0.0000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10
100 1000
T J , TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
5
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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